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苏州纳维科技有限公司总部大楼奠基仪式在苏州工业园区举行

苏州纳维科技有限公司总部大楼奠基仪式在苏州工业园区举行

·2021-01-27 浏览量:86
苏州纳维科技有限公司总部大楼奠基仪式在苏州工业园区举行。项目位于苏州纳米城,总用地面积14000平方米,总建筑面积约34000平方米,将建设成为国际前三的氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地与高端产品生产基地,预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。

苏州纳维科技成立于2007年5月,致力于第三代半导体产业核心关键材料——氮化镓单晶衬底的产业化开发。经过多年攻关,纳维科技完成了从材料生长设备的自主研发到氮化镓单晶衬底的开发和产业化,率先实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产,完成了4英寸产品的工程化技术开发,突破了6英寸产品的关键核心技术,是目前国内唯一能够同时批量提供2英寸高导电、半绝缘氮化镓单晶的企业,产品性能综合指标国际领先。

纳维科技董事长徐科介绍,目前,第三代半导体正在为多个产业带来变革性的发展动力,而高质量的单晶衬底的重要性越来越明晰。纳维科技掌握了氮化镓单晶衬底产业化的成套核心技术,产品供不应求。“此次奠基的总部大楼将重点承担纳维科技在生产、研发等方面的需求,标志着我们在市场、生产、研发等方面全面发力。”

据了解,目前园区第三代半导体上、中、下游产业链规模初显。辖区已集聚全国80%的氮化镓领域“国家级重点人才”,掌握了一批核心自主知识产权,成为国内最具影响力的人才和技术高地,正努力争创“国家第三代半导体技术创新中心”“国家先进制造业集群”“国家重大科技基础设施”等国家级平台。

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